PH6030L

所属类别：场效应管
产品名称：沟道场效应晶体管逻辑电平Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 80 A; Qgd (typ): 6 nC; RDS(on): 5.7@10V8.5@4.5V mOhm; V
厂商：NXP
生产批号：10+
封装：SOT-669
库存状态：有库存
库存量：9000
最低订购量：1
详细资料：

PH6030L N-沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS N-channel TrenchMOS logic level FET; Package: SOT669 (LFPAK); Container: Tape reel smd

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FDP6030L	Fairchild	05+	TO-220	N／A
CET6030L	CET	01+	TO-263	全新原装
PH6030L	NXP	10+	SOT-669	沟道场效应晶体管逻辑电平Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 80 A; Qgd (typ): 6 nC; RDS(on): 5.7@10V8.5@4.5V mOhm; V
FDD6030L	ON	06+	TO-252
CEB6030L	AMP	0402+	DIP

型号	厂商	批号	封装	说明
SJS830200P	Amphenol PCD	2023+	连接器	标准环形连接器 8P SZ22 RECP INLINE BLACK METALIZED
SJS830100P	Amphenol PCD	2023+	连接器	标准环形连接器 8P SZ22 PLUG INLINE BLACK METALIZED
M2884017AG1S1	Amphenol	24+	连接器	M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12	ITT Interconnect Solutions	24+	连接器	CIR 10C 10#16 SKT PLUG
CIRG06RGG18-1S-F80-T12	ITT Interconnect Solutions	24+	连接器	CIR 5C 5#16 SKT PLUG
CIRH03T1610PCNF80M32V0	TE/AMP	24+	连接器	CONN RCPT HSNG MALE 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0	AB Connectors	24+	连接器	CONN RCPT HSNG MALE 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108	ITT Interconnect Solutions	24+	连接器	CONN PLUG MALE 8P SILV SLDR CUP
TAJT105K020RNJ	AVX	24+	SMD	Cap Tant Solid 1uF 20V T CASE 10% (3.5 X 2.8 X 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29	Amphenol	24+	连接器	连接器金属圆形面板安装插座 RJ45
E43M22MSH3720P1	SOURIAU-SUNBANK	21+	连接器	深度防水连接器
E43M18MSH36MCP1	SOURIAU-SUNBANK	21+	连接器	深度防水连接器
E43M17MSH812P1	SOURIAU-SUNBANK	21+	连接器	深度防水连接器
E43M18MSH38P2	SOURIAU-SUNBANK	21+	连接器	深度防水连接器
E43K16MSH720P1	SOURIAU-SUNBANK	21+	连接器	深度防水连接器
1816098-1	TE	2023+	DIP	继电器RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V
207444-9	TE	2023+	连接器	CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Z52929	ITT	24+	连接器	Standard Circular Connector CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE.JIT.OX-16	JAE Electronics	2023+	连接器	16#退针器
RCS20M-12RD28	SOURIAU-SUNBANK	2023+	连接器	Circular MIL Spec Contacts CONTACT

型号	厂商	批号	封装	说明
PSMN6R0-30YL	NXP	10+	SOT-669	沟道场效应晶体管逻辑电平Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 80 A; Qgd (typ): 6 nC; RDS(on): 5.7@10V8.5@4.5V mOhm; V
PH8030L	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH4530L	NXP	10+	SOT-66	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH5330E	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN3R0-30YL	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN2R5-30YL	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN2R0-30YL	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN5R0-30YL	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH4830L	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
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PSMN4R0-30YL	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
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PSMN3R5-30YL	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH3330L	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN059-150Y	NXP	10+	SOT669	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
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