主页 > 产品中心 > 场效应管
PH5330E
产品图片仅供参考
欢迎索取产品详细资料

PH5330E

  • 所属类别：场效应管
  • 产品名称：沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
  • 厂商：NXP
  • 生产批号：10+
  • 封装：SOT669
  • 库存状态：有库存
  • 库存量：9000
  • 最低订购量：1
  • 详细资料：点击查找PH5330E的pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产品介绍

PH5330E    N-沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS    Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 80 A; Qgd (typ): 6 nC; RDS(on): 5.7@10V8.5@4.5V mOhm; VDSmax: 30 V

与PH5330E相关的IC还有：


型号厂商批号封装说明
PH5330E NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS

热门搜索


型号厂商批号封装说明
SJS830200P Amphenol PCD2023+连接器标准环形连接器 8P SZ22 RECP INLINE BLACK METALIZED
SJS830100P Amphenol PCD2023+连接器标准环形连接器 8P SZ22 PLUG INLINE BLACK METALIZED
M2884017AG1S1 Amphenol24+连接器M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect Solutions24+连接器CIR 10C 10#16 SKT PLUG
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect Solutions24+连接器CIR 5C 5#16 SKT PLUG
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+连接器CONN RCPT HSNG MALE 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Connectors24+连接器CONN RCPT HSNG MALE 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect Solutions24+连接器CONN PLUG MALE 8P SILV SLDR CUP
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDCap Tant Solid 1uF 20V T CASE 10% (3.5 X 2.8 X 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+连接器连接器金属圆形面板安装插座 RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SUNBANK21+连接器深度防水连接器
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SUNBANK21+连接器深度防水连接器
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SUNBANK21+连接器深度防水连接器
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SUNBANK21+连接器深度防水连接器
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SUNBANK21+连接器深度防水连接器
1816098-1 TE2023+DIP继电器RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+连接器CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Z52929 ITT24+连接器Standard Circular Connector CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE.JIT.OX-16 JAE Electronics2023+连接器16#退针器
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SUNBANK2023+连接器Circular MIL Spec Contacts CONTACT

NXP品牌产品推荐


型号厂商批号封装说明
PSMN3R0-30YL NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN2R5-30YL NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN2R0-30YL NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN5R0-30YL NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH4830L NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH4330L NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN4R0-30YL NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH3830L NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN3R5-30YL NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH3330L NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PSMN059-150Y NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH20100S NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH2525L NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH4025L NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH5525L NXP10+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH6325L NXP10+SOT-669N沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH955L NXP09+SOT669沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS
PH9025L NXP0927+SOT-669N-channel TrenchMOS logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 66 A; Qgd (typ): 2.7 nC; RDS(on): 13@4.5 V 9@10 V mOhm; VDSmax: 25.0 V;
PMV65XP NXP11+SOT-23-3P沟道TrenchMOS场效应管 P-channel TrenchMOS(tm) extremely low level FET - Configuration: Single P-channel ; ID DC: 3.9 A; Qgd (typ): 0.65 nC; RDS(on): 76@4.5
2N7002E NXP11+SOT-23N沟道增强型场效应晶体管N-channel TrenchMOS FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 0.3 A; RDS(on): 4400@10V5300@4.5V mOhm; VDSmax: 60 V

分类检索

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICP备14056028号