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PHB21N06LT
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PHB21N06LT

  • 所属类别：场效应管
  • 产品名称：N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管
  • 厂商：NXP
  • 生产批号：2011+
  • 封装：TO-263
  • 库存状态：有库存
  • 库存量：9000
  • 最低订购量：1
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PHB21N06LT  N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管  N-channel TrenchMOS (tm) transistor Logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 19 A; Qgd (typ): 5.4 nC; RDS(on): 70@10V75@5V mOhm; VDSmax: 55 V

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