| 型号 | 厂商 | 批号 | 封装 | 说明 |
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PMV60EN
| NXP | 2011+ | SOT23-3 | 增强场效应晶体管逻辑电平 |
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BYT56B
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYT56D
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYT56G
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYT56J
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYT56K
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYT56A
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYM36AGP
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYM36BGP
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYM36CGP
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYM36DGP
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYM36EGP
| NXP | 2011 | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器） |
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BYM26D
| NXP | 07+ | SOD-64 | Axialleaded Hermetically Sealed Superfast Recovery Rectifier Diode(反向电压200V,轴向引脚，密封超快恢复整流二极管) |
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BYM26E
| NXP | 07+ | SOD-64 | Axialleaded Hermetically Sealed Superfast Recovery Rectifier Diode(反向电压200V,轴向引脚，密封超快恢复整流二极管) |
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BYM26C
| NXP | 10+ | SOD-64 | 快速软恢复控制雪崩整流器（快速软恢复可控雪崩整流器（600V的）） INNOLINE: RP50-S - Single Outputs up to 15A- Input/Output 1.6kVDC Isolation- Adjustable Output Voltage- No Minimum |
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BYV28-50
| NXP | 07+ | SOD-64 | 超高速低损失控制雪崩整流器（超快速低损耗控制的雪崩整流器） |
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PSMN004-55W
| NXP | 10+ | TO-247 | N沟道晶体管TrenchMOS N-channel logic level TrenchMOS (tm) transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 100 A; Qgd (typ): 106 nC; RDS(on): 4.2@ |
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PSMN005-75B
| NXP | 10+ | TO-263-3 | N沟道晶体管TrenchMOS Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3111; Number of Contacts:10; Connector Shell Size:12; Connecting Termi |
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PSMN009-100W
| NXP | 10+ | TO-247 | N沟道晶体管TrenchMOS Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3111; Number of Contacts:10; Connector Shell Size:12; Connecting Termi |
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PSMN035-150P
| NXP | 10+ | TO-220 | N沟道晶体管TrenchMO N-channel enhancement mode field-effect transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 50 A; Qgd (typ): 33 nC; RDS(on): 35@10V |