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IPB070N06LG IPB070N06LG INFINEON 10+ MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 有库存 询价
PMN50XP PMN50XP NXP 10+PB P沟道TrenchMOS非常低的水平场效应管 有库存 询价
SI2304DS SI2304DS NXP 11+ N沟道增强型场效应晶体管N-channel enhancement mode field-effect transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 1.7 A; Qgd (typ): 1.35 nC; RDS(on): 117@10V1 有库存 询价
PMV117EN PMV117EN NXP 11+ 30 V uTrenchMOS增强场效应晶体管逻辑电平 micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 2.5 A; Qgd (typ): 1.35 nC; RDS( 有库存 询价
BSH108 BSH108 NXP 11+ 30 V N沟道增强型场效应晶体管N-channel enhancement mode field-effect transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 1.9 A; Qgd (typ): 1.3 nC; RDS(on): 1 有库存 询价
BSH114 BSH114 NXP 11+ N沟道增强型场效应晶体管N-channel enhancement mode field effect transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 0.85 A; Qgd (typ): 2.1 nC; RDS(on): 500@10V 有库存 询价
PMV213SN PMV213SN NXP 11+ 100 V N沟道增强逻辑电平FET -配置:单N-channel ID 有库存 询价
PMV45EN PMV45EN NXP 11+ 增强逻辑电平FET -配置:单N-channel ID库塔:一种;;Qgd(打字5.4):1.9数控;关系型数据库(在);VDSmax mOhm:42@10V54@4.5V:30伏;包装:SOT23(TO-236AB磁带卷);集装箱:smd 有库存 询价
IRFBC20 IRFBC20 IR 2010+ 功率MOSFET (Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A) 有库存 询价
IXTR200N10P IXTR200N10P IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价
IXTQ96N20P IXTQ96N20P IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价
IXTQ82N25P IXTQ82N25P IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价
IXTQ64N25P IXTQ64N25P IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价
IXTQ250N075T IXTQ250N075T IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价
IXTQ220N075T IXTQ220N075T IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价
IXTQ200N075T IXTQ200N075T IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价
IXTQ170N10P IXTQ170N10P IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价
IXTQ160N075T IXTQ160N075T IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价
IXTQ150N06P IXTQ150N06P IXYS 10+ PolarHT功率MOSFET N沟道增强模式 有库存 询价

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