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uPA2715GR uPA2715GR RENESAS 11+ 开关的P -沟道功率MOSFET 有库存 询价
BUK761855T3 BUK761855T3 NXP 10+ 晶体管标准电平场效应管 有库存 询价
BUK950855A127 BUK950855A127 NXP 10+ 晶体管逻辑电平场效应管 有库存 询价
BUK950855B127 BUK950855B127 NXP 10+ 场效应晶体管逻辑电平 有库存 询价
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF IR 11+ 增强场效应晶体管逻辑电平 有库存 询价
PH2625L PH2625L NXP 2011+ N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管 有库存 询价
PH2925U PH2925U NXP 2011+ N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管 有库存 询价
PHB20NQ20T PHB20NQ20T NXP 2011+ N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管 有库存 询价
PHB21N06LT PHB21N06LT NXP 2011+ N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管 有库存 询价
PHB33NQ20T PHB33NQ20T NXP 2011+ N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管 有库存 询价
PHD22NQ20T PHD22NQ20T NXP 2011+ N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管 有库存 询价
PHP20NQ20T PHP20NQ20T NXP 2011+ N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管 有库存 询价
PHP30NQ15T PHP30NQ15T NXP 2011+ N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管 有库存 询价
PHW80NQ10T PHW80NQ10T NXP 2011+ 增强场效应晶体管逻辑电平 有库存 询价
PMV60EN PMV60EN NXP 2011+ 增强场效应晶体管逻辑电平 有库存 询价
PSMN004-55W PSMN004-55W NXP 10+ N沟道晶体管TrenchMOS N-channel logic level TrenchMOS (tm) transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 100 A; Qgd (typ): 106 nC; RDS(on): 4.2@ 有库存 询价
PSMN005-75B PSMN005-75B NXP 10+ N沟道晶体管TrenchMOS Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3111; Number of Contacts:10; Connector Shell Size:12; Connecting Termi 有库存 询价
PSMN009-100W PSMN009-100W NXP 10+ N沟道晶体管TrenchMOS Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3111; Number of Contacts:10; Connector Shell Size:12; Connecting Termi 有库存 询价
PSMN035-150P PSMN035-150P NXP 10+ N沟道晶体管TrenchMO N-channel enhancement mode field-effect transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 50 A; Qgd (typ): 33 nC; RDS(on): 35@10V 有库存 询价
PSMN057-200B PSMN057-200B NXP 10+ N沟道增强型场效应晶体管N-channel TrenchMOS (tm) transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 39 A; Qgd (typ): 37 nC; RDS(on): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V 有库存 询价

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