PHB33NQ20T
NXP
PHB33NQ20T 由 NXP 生产，采用 TO-263 封装，批号 2011+，芯微百年深圳仓库现货 9,000 个。
现货
- 库存量
- 9,000个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 1 个
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完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | PHB33NQ20T |
| 厂商 | NXP |
| 所属类别 | 场效应管 |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | TO-263 |
| 生产批号 | 2011+ |
| 库存量 | 9,000个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
PHB33NQ20T N沟道TrenchMOS⑩标准水平场效应管 N-channel TrenchMOS(tm) standard level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 32.7 A; Qgd (typ): 9.6 nC; RDS(on): 77@10V mOhm; VDSmax: 200 V