场效应管 - 进口元器件供应商全球现货及期货优势渠道

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编号	制造商	批号	说明	库存	询价
PH4830L	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PH4330L	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PSMN4R0-30YL	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PH3830L	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PSMN3R5-30YL	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PH3330L	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PSMN059-150Y	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PH20100S	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PH2525L	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PH4025L	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PH5525L	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PH6325L	NXP	10+	N沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PH955L	NXP	09+	沟道场效应晶体管逻辑电平TrenchMOS	有库存	询价
PH9025L	NXP	0927+	N-channel TrenchMOS logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 66 A; Qgd (typ): 2.7 nC; RDS(on): 13@4.5 V 9@10 V mOhm; VDSmax: 25.0 V;	有库存	询价
PMV65XP	NXP	11+	P沟道TrenchMOS场效应管 P-channel TrenchMOS(tm) extremely low level FET - Configuration: Single P-channel ; ID DC: 3.9 A; Qgd (typ): 0.65 nC; RDS(on): 76@4.5	有库存	询价
2N7002E	NXP	11+	N沟道增强型场效应晶体管N-channel TrenchMOS FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 0.3 A; RDS(on): 4400@10V5300@4.5V mOhm; VDSmax: 60 V	有库存	询价
2N7002K	NXP	11+	N沟道增强型场效应晶体管N-channel TrenchMOS FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 0.3 A; RDS(on): 4400@10V5300@4.5V mOhm; VDSmax: 60 V	有库存	询价
BSN20	NXP	11+	N沟道增强型场效应晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 0.173 A; RDS(on): 15000@10V20000@5V mOhm;	有库存	询价
PMBF170	NXP	11+	N沟道增强型场效应晶体管 Standalone 750mA Li-Ion Battery Charger in 2 x 2 DFN; Package: DFN; No of Pins: 6; Temperature Range: -40°C to +125°C	有库存	询价
BSP125	INFINEON	11+	SIPMOS小信号晶体管（N通道增强模式）	有库存	询价

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