LM5100CMYE

• 同时驱动高边和低边N沟道MOSFET
• 独立高和低驱动逻辑输入
• 自举电源电压高达118V DC
• 快速传播时间（25纳秒典型）
• 驱动器具有8 ns的上升和下降时间1000 pF负载
• 优异的传输延迟匹配（3纳秒典型）
• 供应铁路欠压锁定
• 低功耗
• 引脚兼容的HIP2100/HIP2101

说明

该LM5100A/B/C和LM5101A/B/C高压栅极驱动器设计用于驱动在同步降压或半桥配置都高侧和低侧N通道MOSFET。 浮动高边驱动器与电源电压高达100V的操作能力。 在“A”版本提供了充分的栅极驱动3A，而“B”和“C”版本，分别为2A和1A。 独立控制的输出与CMOS输入阈值（LM5100A/B/C）或TTL输入阈值（LM5101A/B/C）。 集成的高电压二极管提供收费高边栅极驱动自举电容。 一个强大的电平转换器工作的同时，耗电低功耗和提供清洁级跃迁从控制逻辑到高边栅极驱动器在高的速度。 欠压锁定上都提供低侧及高侧电源轨。 这些设备可以在标准SOIC - 8针，PSOP - 8引脚LLP及10引脚封装。 该LM5100C和LM5101C也可在eMSOP - 8封装。 该LM5101A还提供LLP - 8脚封装