主要特点
超低压差：在3A为75mV（典型值） 优良的V IN的PSRR：1kHz时为70分贝（典型值） ±1.6％，保证了V OUT精度为-40°C <T J <+125°C间 非常快的负载瞬态响应 广泛的保护和报告功能 V IN范围：1V至3.6V，V OUT范围：0.8V至3.3V 小10 LD 3X3 DFN封装 描述
ISL80111，ISL80112和ISL80113是超低压差LDO的大小限制为数据通信，计算，存储和医疗应用的设计性能，尺寸和功耗之间的最佳平衡。这些LDO被指定为1A，2A和3A的输出电流和低电压转换优化。一起一伏的操作的1V至3.6V，并与传统的3.3V至5V上的偏差，V OUT是从0.8V至3.3V可调。与一个V 中的PSRR大于100kHz的40分贝使这些LDO在噪声敏感应用的理想选择。保证±1.6％V OUT精度整体条件适合这些部件精确的电压suppling最新的低电压数字集成电路。使能输入允许部分被放置到低静态电流关断模式。本系列产品是利用亚微米CMOS工艺，提供最佳的模拟性能和整体价值通常低于2.5V的输入电压转换需要申请。它还具有优越的负载瞬态调节独特的一个NMOS功率级。这些LDO的功能相比，双极型LDO的负载明显较低的静态电流消耗。
应用
对噪声敏感的仪器和医疗系统 数据采集和数据通信系统 存储，通信和服务器设备 低电压DSP，FPGA和ASIC核电源 开关电源的后调控