场效应管 - 进口元器件供应商全球现货及期货优势渠道

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编号	制造商	批号	说明	库存	询价
IRF634NS	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634NPBF	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634N	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF640PBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640LPBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640L	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640STRRPBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640STRR	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640STRLPBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640STRL	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640SPBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640S	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF642	IR	10+	N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V	有库存	询价
IRF641	IR	10+	N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V	有库存	询价
IRF644STRRPBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)	有库存	询价
IRF644STRR	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)	有库存	询价
IRF644STRLPBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)	有库存	询价
IRF644STRL	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)	有库存	询价

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