场效应管 - 进口元器件供应商全球现货及期货优势渠道

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编号	制造商	批号	说明	库存	询价
IRF624PBF	Vishay	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为1.1Ω，漏电流为4.1A）)	有库存	询价
IRF624	Vishay	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为1.1Ω，漏电流为4.1A）)	有库存	询价
IRF630STRRPBF	Vishay	10+	N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET)	有库存	询价
IRF630STRR	Vishay	10+	N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET)	有库存	询价
IRF630STRLPBF	Vishay	10+	N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET)	有库存	询价
IRF630STRL	Vishay	10+	N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET)	有库存	询价
IRF630SPBF	Vishay	10+	N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET)	有库存	询价
IRF630S	Vishay	10+	N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET)	有库存	询价
IRF630PBF	Vishay	10+	N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET)	有库存	询价
IRF633	IR	10+	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V	有库存	询价
IRF632	IR	10+	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V	有库存	询价
IRF631	IR	10+	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V	有库存	询价
IRF634STRRPBF	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634STRR	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634STRLPBF	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634STRL	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634SPBF	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634S	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634PBF	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634NSPBF	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价

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