特点
指定V S = 5V，R L =100Ω，A V = 10V / V LLP - 8封装，除非指定
- 3dB带宽
900兆赫
输入电压噪声
0.69 NV / √ 赫兹
输入失调电压最大值。 温度
± 0.8毫伏
压摆率
1600 V /μs的
HD2 @ F = 1MHz的，2V PP
-90 dBc的
HD3 @ F = 1MHz的，2V PP
-94 dBc的
电源电压范围
2.7V至5.5V
典型的电源电流
15.5毫安
可选择分。 增益
≥ 4或 ≥ 10 V / V
启用时间
75纳秒
输出电流
±250毫安
LLP - 8和SOT23 - 5封装
说明
而LMH6629是一种高速，超低噪声放大器，高增益和要求，如在通信，测试和测量噪声低，光学和超声波系统宽带应用而设计的。
而LMH6629工作的输入共模范围，地下和产出摆动在单电源应用的易用性，以0.8V范围内的铁轨延伸在2.7至5.5V电源。 重负载可达± 250 mA的驱动通过与LMH6629的的- 3dB为900兆赫和1600 V /μs压摆率带宽高频大信号。 而LMH6629（LLP - 8封装）具有用户可选择的4或10最低的拉动COMP引脚高或低增益控制内部补偿，从而避免了外部补偿电容，在竞争激烈的设备所要求的需要。 为SOT23 - 5封装的补偿是内部设置了最低10 V / V增益稳定 而LLP - 8封装也提供了掉电启用/禁用功能。
低输入噪声（0.69nV / √ 赫兹和2.6 PA / √ 赫兹），低失真（HD2 / HD3 = -90 dBc的dBc/-94）和超低直流误差（800μVV OS温度最高，± 0.45μV/ ° C漂移）允许精度的AC和DC操作耦合应用。
而LMH6629是美国国家半导体公司制造的专有的SiGe工艺制造，并采用3mm x 3mm的8引脚LLP，以及SOT23 - 5封装。
应用