场效应管 - 进口元器件供应商全球现货及期货优势渠道

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编号	制造商	批号	说明	库存	询价
IRFR9014TR	VISHAY	10+	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK	有库存	询价
IRFR9014PBF	VISHAY	10+	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK	有库存	询价
IRFR9014	VISHAY	10+	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK	有库存	询价
IRFR9020TRR	VISHAY	10+	MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK	有库存	询价
IRFR9020TRL	VISHAY	10+	MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK	有库存	询价
IRFR9020TR	VISHAY	10+	MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK	有库存	询价
IRFR9020	VISHAY	10+	MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK	有库存	询价
IRFR9022	VISHAY	10+	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS	有库存	询价
IRFR9024TRRPBF	VISHAY	10+	P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））	有库存	询价
IRFR9024TRR	VISHAY	10+	P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））	有库存	询价
IRFR9024TRPBF	VISHAY	10+	P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））	有库存	询价
IRFR9024TRLPBF	VISHAY	10+	P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））	有库存	询价
IRFR9024TRL	VISHAY	10+	P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））	有库存	询价
IRFR9024TR	VISHAY	10+	P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））	有库存	询价
IRFR9024PBF	VISHAY	10+	P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））	有库存	询价
IRFR9024	VISHAY	10+	P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））	有库存	询价
IRFR9110TRPBF	VISHAY	10+	3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P沟道功率MOS场效应管)	有库存	询价
IRFR9110TRLPBF	VISHAY	10+	3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P沟道功率MOS场效应管)	有库存	询价
IRFR9110TRL	VISHAY	10+	3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P沟道功率MOS场效应管)	有库存	询价
IRFR9110TR	VISHAY	10+	3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P沟道功率MOS场效应管)	有库存	询价

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