按集成电路首字母查询 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
主页 > 产品中心 > 所有列表
选择缩略图编号制造商批号说明资料库存询价
Si7478DP Si7478DP VISHAY 10+PB N通道60 - V快速开关MOSFET 有库存 询价
SiE818DF SiE818DF VISHAY 10+PB N通道60 - V快速开关MOSFET 有库存 询价
Si7460DP Si7460DP VISHAY 10+PB N通道60 - V快速开关MOSFET 有库存 询价
Si4459ADY Si4459ADY VISHAY 10+PB P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With 3-kV ESD Protection VDS = -30V; VGS = ± 25V 有库存 询价
Si4483ADY Si4483ADY VISHAY 10+PB P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With 3-kV ESD Protection VDS = -30V; VGS = ± 25V 有库存 询价
Si2306BDS Si2306BDS VISHAY 10+PB N沟道MOSFET，30V（D-S） 有库存 询价
Si2304DDS Si2304DDS VISHAY 10+PB N沟道增强型场效应晶体管 有库存 询价
Si4922BDY Si4922BDY VISHAY 10+PB 双N通道30V（D-S）MOSFET 有库存 询价
Si7850DP Si7850DP VISHAY 10+PB N通道60 - V快速开关MOSFET 有库存 询价
SI2301BDS SI2301BDS VISHAY 10+PB NPN硅射频功率晶体管 有库存 询价
Si2307CDS Si2307CDS VISHAY 10+PB NPN硅射频功率晶体管 有库存 询价
INA2128 INA2128 TI 09+ 双路低功耗仪器放大器 有库存 询价
INA159-EP INA159-EP TI 10+ 增强型产品 0.2 级精密增益差动放大器 有库存 询价
INA159 INA159 TI 10+ 高速 0.2 级精密增益差动放大器 有库存 询价
Si4425DDY Si4425DDY VISHAY 11+ 单P沟道，逻辑层次，PowerTrenchTM MOSFET MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:-11A; On-Resistanc 有库存 询价
INA157 INA157 TI 10+ 高速精密差动放大器 有库存 询价
Si4435DDY Si4435DDY VISHAY 11+ 双P沟道，逻辑层次，的PowerTrench MOSFET的 有库存 询价
INA154 INA154 TI 10+ 高速精密差动放大器 (G = 1) 有库存 询价
Si4925DDY Si4925DDY VISHAY 11+ 双P沟道，逻辑层次，的PowerTrench MOSFET的 有库存 询价
Si4431CDY Si4431CDY VISHAY 11+ P沟道30 V的（副）MOSFET的 有库存 询价

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICP备14056028号