产品型号产品名称批号厂商封装数量 
PSMN057-200B N沟道增强型场效应晶体管N-channel TrenchMOS (tm) transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 39 A; Qgd (typ): 37 nC; RDS(on): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V10+NXPTO-263 删除
LM4121AIM5-1.2 精密微功耗低压差的电压11+NSCSOT23-5 删除

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