对于电池的TXS03121监控应用而设计的一个比较。
它可以使用，其电压为2.5 V至5.5 V的基准电压施加到中端，而被监视的电压连接到+中。
当电压在+ IN是不是更大的电压在- IN时，FET变为在输出。 当电压在+中比在低电压中的FET关闭输出。
输出FET的源极（S）可连接至1.1 V至3.6 V，它允许输出信号被翻译成其他电压值水平。
采用V +电压必须大于或等于学电压在S电压必须大于或等于）电压在D（五+≥十四 ，V s≥V D的。
特性
- 低电源电流：8μA（最大值）
- 电源电压：2.5 V至5.5 V
- 输出FET提供翻译下
- 小型封装：SOT - 563
- 闭锁性能超过100个JESD78毫安，第II类
- ESD性能
- 2500 - V的人类体模型（JESD - A114E）
- 250 - V的机器型号
（环评/ JESD高速公路A115 - A）的
- 1500 - V的带电器件模型（JESD22 - C101 - III级）
参数
| |
TXS03121 |
| 工作温度范围（℃） |
-40到85 |
| 引脚/包 |
6SOT |