| 型号 | 厂商 | 批号 | 封装 | 说明 |
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TPS64203
| TI | 10+ | SOT23-6 | 采用 SOT-23 封装静态电流为 20uA 的可调节高达 3A 输出的 95% 效率步降控制器 |
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TPS64202
| TI | 10+ | SOT23-6 | 采用 SOT-23 封装静态电流为 20uA 的可调节高达 3A 输出的 95% 效率步降控制器 |
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TPS64200
| TI | 10+ | SOT-163 | 采用采用SOT - 23封装静态电流为20uA的可调节高达3A条输出的95％效率步降控制器 |
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TPS59621
| TI | 10+ | 40VQFN | 用于IMVP6.5的CPU / GPU的核心电压嵌入式计算的双相的D -第+™模式降压控制器 |
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TPS59620
| TI | 10+ | 40VQFN | 用于嵌入式计算系统IMVP6 +的CPU / GPU的核心电压的双相的D -第+™模式降压控制器 |
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BUF05704
| TI | 08+ | 14HTSSOP | 18V 电源多通道伽玛校正缓冲器 |
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TPS59611
| TI | 10+ | 32QFN | 用于嵌入式比赛IMVP6.5商标的CPU / GPU的核心电压的单相的D -第+商标模式降压控制器 |
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BUF08821
| TI | 09+ | 20HTSSOP | 可编程伽马电压生成器和具有集成的 2 组存储器的 Vcom 校准器 |
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TPS59610
| TI | 10+ | 32QFN | 用于 IMVP6+ CPU 和图形 Vcore 嵌入式计算的单相 D-CAP+™ 同步降压控制器 |
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BUF08832
| TI | 10+ | 20HTSSOP | 可编程伽马电压发生器和具有集成的 2 组存储器的高转换率 Vcom 校准器 |
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TPS59124
| TI | 10+ | 24VQFN | 用于低压电源轨嵌入式计算的双路同步降压控制器 |
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BUF16821
| TI | 09+ | 28HTSSOP | 可编程伽马电压生成器和具有集成的 2 组存储器的 Vcom 校准器 |
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TPS59116
| TI | 10+ | 24VQFN | 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器 |
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BUF01900
| TI | 08+ | 10SON, 8TSSOP | 用于 VCOM 调节的参考电压生成器 |
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BUF20800
| TI | 08+ | 38HTSSOP | 具有两个可编程 VCOM 通道的 18 通道伽马电压生成器 |
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BUF20820
| TI | 07+ | 38HTSSOP | 具有两个可编程 Vcom 通道的 18 通道伽马电压生成器 |
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BUF06704
| TI | 09+10+ | 16HTSSOP | 18V 电源多通道伽玛校正缓冲器 |
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BUF07704
| TI | 08+ | 20HTSSOP | 6 通道 LCD 伽玛校正缓冲器 +1 Vcom |
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BUF11704
| TI | 08+ | 28HTSSOP | 18V 电源多通道伽马校正缓冲器 |
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BUF04701
| TI | 10+ | 10MSOP, 14TSSOP | 4 通道 12V CMOS 缓冲放大器 |