TPS51621
说明 该TPS51621是一个可选双或单相,完全符合IMVP - 6.5集成了栅极驱动器控制器的一步。 如D -第+架构和OSR超调减少高级控制功能提供了快速瞬态响应和最低的输出电容。 该TPS51621还支持轻负载的单相运行。 充分补充IMVP - 6.5的I / O)纳入TPS51621,包括VR_TT,DPRSLPVR,PSI和输出电流监测(选择IMON。 防扩散安全倡议是用来控制相数的活跃。 进出双相模式过渡是非常顺利。 可调控制的压摆率和V 核心 - 6.5电压定位功能,完善了IMVP。 此外,TPS51621包括两个高电流MOSFET栅极驱动器来驱动极高的速度和低开关损耗高和低侧N通道MOSFET。 特性 可选双或单相 可选择CPU或GPU模式 最少的外部元件数 全IMVP - 6.5功能,包括VR_TT和输出电流监视器(IMON) 超过± 8 mV的V线芯精度/负载/温度 7位DAC 最佳效率在轻载和重载 专利输出过冲减少(OSR) 降低输出电容 准确,可调节电压定位 可选200/300/400/500千赫频率 帕特。 待自动平衡相位平衡 可选的8级电流限制 3 V至28 V转换电压范围 快速MOSFET驱动器瓦特/集成升压二极管 集成过电压保护(OVP) 小6 × 6,40引脚QFN PowerPAD封装 应用 IMVP - 6.5 V V Rails 核心应用适配器,电池,NVDC或3 V / 5号V/12号
该TPS51621是一个可选双或单相,完全符合IMVP - 6.5集成了栅极驱动器控制器的一步。 如D -第+架构和OSR超调减少高级控制功能提供了快速瞬态响应和最低的输出电容。 该TPS51621还支持轻负载的单相运行。 充分补充IMVP - 6.5的I / O)纳入TPS51621,包括VR_TT,DPRSLPVR,PSI和输出电流监测(选择IMON。 防扩散安全倡议是用来控制相数的活跃。 进出双相模式过渡是非常顺利。
可调控制的压摆率和V 核心 - 6.5电压定位功能,完善了IMVP。 此外,TPS51621包括两个高电流MOSFET栅极驱动器来驱动极高的速度和低开关损耗高和低侧N通道MOSFET。