LM5112Q1SD

• 复方CMOS和双极输出，降低输出电流的变化
• 7A sink/3A源电流
• 快速传播时间（25 ns典型）
• 快速上升和下降时间（14 ns/12 ns上升/下降2 nF的负载）
• 反相和非反相输入提供一个单一的设备或者配置
• 欠压锁定保护下的电源轨
• 分离电源或单电源供电的专用输入地（IN_REF）
• 功率增强型6引脚的LLP封装（3.0毫米x3.0毫米）或耐热增强型的MSOP8 - EP封装
• 输出摆幅从V _CC至V _EE可负相输入地

说明

LM5112 MOSFET栅极驱动器提供高的峰值栅极驱动电流的小型LLP - 6封装（SOT23封装相当于足迹）或8引脚裸露焊盘的MSOP封装，提高功率，高频率运行所需的功耗。 复合输出驱动阶段包括MOS和双极型晶体管并联运行，一起下沉超过容性负载7A峰值。 MOS和双极型器件相结合的独特特征，降低驱动电压和温度的电流变化。 欠压闭锁保护，以防止损坏MOSFET的闸门的开启电压不足。 LM5112提供的反相和非反相输入，以满足反相和非反相与一个单一的设备类型的栅极驱动的要求。