LM5102SD

• 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
• 独立的可编程的高端和低端的上升沿延迟
• 自举电源电压范围可达118V直流
• 快速关闭传播延迟（25 ns典型）
• 1000 pF的负载驱动器具有15 ns的上升和下降时间
• 供应铁路欠压锁定
• 低功耗
• 定时器可终止通过序列的中途

说明

LM5102高电压栅极驱动器用于驱动高侧和低侧N通道MOSFET同步降压或半桥配置。 浮动高侧驱动器的电源电压高达100V的工作。 独立控制的输出。 每个输出的上升沿都可以独立编程电阻延迟。 集成的高电压二极管提供高侧栅极驱动器自举电容充电。 一个强大的电平转换器在高速的同时，耗电低功耗和提供清洁的控制逻辑电平转换到高边栅极驱动器。 偏低和偏高电源轨提供欠压闭锁。 此设备提供标准的MSOP - 10封装引脚LLP - 10引脚封装。