LM5060Q1MM

• 可在汽车级/ AEC Q - 100
• 宽工作输入电压范围：5.5 V至+65 V
• 小于15μA的静态电流，在禁用模式
• 安全连接容性负载控制输出上升时间
• 电荷泵为外部N沟道MOSFET栅极驱动器
• 可调节的欠压锁定（UVLO）迟滞
• UVLO的服务需要安全冗余的系统作为第二个使能输入
• 可编程故障检测延迟时间
• MOSFET的负载故障锁存后检测到
• 有源低开漏电源好（nPGD）输出
• 可调输入过电压保护（OVP）
• 过电压关机后立即重新启动

说明

LM5060高边保护控制器提供了一个高边n沟道MOSFET在正常开/关转换和故障条件的智能控制。 浪涌电流控制，输出电压几乎恒定的上升时间。 电源良好输出指示，当输出电压达到输入电压和MOSFET完全导通。 输入欠压锁定滞后，以及提供可编程输入过电压保护。 使能输入提供远程开/关控制。 可作为第二个启用的安全冗余输入的可编程欠压锁定输入。 单个电容器方案的初步启动，V _GS故障检测延迟时间，V _DS故障检测延迟时间的过渡，并连续过电流V _DS故障检测延迟时间。 当检测到的故障条件下仍然存在的时间比允许的故障延迟时间，MOSFET被锁定，直到使能输入或欠压锁定输入切换低，再高的。

应用

• 汽车车身电子
• 工业配电和控制