特点
说明
LM4132的高精度电压基准系列执行最好的激光微调双极引用相媲美，但在成本效益的CMOS技术。 这一突破的关键，通过使用的EEPROM寄存器的曲率，温度系数，并且在CMOS带隙结构的准确性校正功能，使包级别的编程，以克服装配转向。 在塑料封装模具组装成的电压精度和温度系数的转变，限制镶着激光技术引用的准确性。
不像其他的LDO引用，LM4132是能够提供高达20mA，并不需要输出电容器或缓冲放大器。 这些优势，采用SOT23包装是重要的空间至关重要的应用。
串联型电压基准提供低于并联型基准的功耗，因为他们没有闲置无负载条件下最大可能的负载电流。 这一优势，低静态电流（60μA），和低压差（400mV的）的电池供电的解决方案LM4132理想。
LM4132是五个等级（A，B，C，D和E），以获得更大的灵活性。 最好级器件（一）有0.05％的初始精度，保证温度系数为10ppm / ° C或更低，而最低级部分（五）有0.5％的初始精度和温度系数为30ppm / ° C。
应用