主页 > 产品中心 > 场效应管
IRFR9010TRL
产品图片仅供参考
欢迎索取产品详细资料

IRFR9010TRL

  • 所属类别：场效应管
  • 产品名称：MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
  • 厂商：VISHAY
  • 生产批号：10+
  • 封装：SOT252
  • 库存状态：有库存
  • 库存量：8000
  • 最低订购量：1
  • 详细资料：点击查找IRFR9010TRL的pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产品介绍

IRFR9010TRL    MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

与IRFR9010TRL相关的IC还有：


型号厂商批号封装说明
IRFR9010TRL VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

热门搜索


型号厂商批号封装说明
SJS830200P Amphenol PCD2023+连接器标准环形连接器 8P SZ22 RECP INLINE BLACK METALIZED
SJS830100P Amphenol PCD2023+连接器标准环形连接器 8P SZ22 PLUG INLINE BLACK METALIZED
M2884017AG1S1 Amphenol24+连接器M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect Solutions24+连接器CIR 10C 10#16 SKT PLUG
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect Solutions24+连接器CIR 5C 5#16 SKT PLUG
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+连接器CONN RCPT HSNG MALE 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Connectors24+连接器CONN RCPT HSNG MALE 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect Solutions24+连接器CONN PLUG MALE 8P SILV SLDR CUP
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDCap Tant Solid 1uF 20V T CASE 10% (3.5 X 2.8 X 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+连接器连接器金属圆形面板安装插座 RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SUNBANK21+连接器深度防水连接器
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SUNBANK21+连接器深度防水连接器
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SUNBANK21+连接器深度防水连接器
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SUNBANK21+连接器深度防水连接器
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SUNBANK21+连接器深度防水连接器
1816098-1 TE2023+DIP继电器RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+连接器CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Z52929 ITT24+连接器Standard Circular Connector CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE.JIT.OX-16 JAE Electronics2023+连接器16#退针器
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SUNBANK2023+连接器Circular MIL Spec Contacts CONTACT

VISHAY品牌产品推荐


型号厂商批号封装说明
IRFR9010TR VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
IRFR9010 VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
IRFR9014TRPBF VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IRFR9014TRLPBF VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IRFR9014TRL VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IRFR9014TR VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IRFR9014PBF VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IRFR9014 VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IRFR9020TRR VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
IRFR9020TRL VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
IRFR9020TR VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
IRFR9020 VISHAY10+SOT252MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
IRFR9022 VISHAY10+SOT252REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS
IRFR9024TRRPBF VISHAY10+TO-252P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））
IRFR9024TRR VISHAY10+TO-252P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））
IRFR9024TRPBF VISHAY10+TO-252P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））
IRFR9024TRLPBF VISHAY10+TO-252P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））
IRFR9024TRL VISHAY10+TO-252P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））
IRFR9024TR VISHAY10+TO-252P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））
IRFR9024PBF VISHAY10+TO-252P -沟道增强型场效应晶体管（- 8.8A，- 60V的，0.28Ω）性（P沟道增强型马鞍山场效应管（漏电流- 8.8A，漏源电压- 60V的导通电阻0.28Ω））

分类检索

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICP备14056028号