DS90C383MTDX

• 产品介绍

特点

20至65 MHz的移位时钟支持
可编程变送器（DS90C383）频闪选择（上升或下降边缘频闪）
单3.3V电源
芯片组（TX + RX）功耗<250兆瓦（典型值）
掉电模式（<0.5 mW的总）
单个像素每时钟的XGA（1024 × 768）的准备
支持VGA，SVGA，XGA和更高的寻址能力。
高达227兆字节/秒的带宽
高达1.8 Gbps的吞吐量
窄总线减少了电缆的尺寸和成本
290 mV的摆动LVDS器件具有低EMI
PLL无需外部元件
薄型56引脚TSSOP封装。
也可在64球，0.8毫米细间距球栅阵列（FBGA）封装
下降沿数据选通接收器
TIA/EIA-644 LVDS标准的兼容
> 7千伏ESD额定值。
工作温度：-40 ° C至+85 ° C

说明

DS90C383变送器转换成28位的LVCMOS / LVTTL数据为4个LVDS（低电压差分信令）数据流。 一个相位锁定发送时钟是超过五分之一的LVDS链路的并行数据流传输。 每发送时钟周期，28位输入数据采样和传输。 DS90CF384接收器的LVDS数据流转换到28位LVCMOS / LVTTL数据。 传输时钟频率在65兆赫，24位的RGB数据和3位LCD定时和控制数据（FPLINE，FPFRAME，DRDY）在455 Mbps的每LVDS数据通道速度传输。 采用65 MHz的时钟，数据吞吐量为227 MB /秒。 发射器提供可编程边缘数据选通方便的接口与各种图形控制器。 变送器可被编程为上升沿频闪或下降边缘频闪，通过一个专用引脚。 上升沿发射机互操作转换逻辑没有任何一个下降沿接收器（DS90CF384）。 这两款器件还提供了64球，0.8毫米细间距球栅阵列（FBGA）封装相比TSSOP封装在PCB面积减少44％。

该芯片组是一种理想的的手段来解决EMI和电缆尺寸宽，高速TTL接口相关的问题。