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编号	制造商	批号	说明	库存	询价
PSMN102-200Y	NXP	10+	N-channel TrenchMOS standard level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 21.5 A; Qgd (typ): 10.1 nC; RDS(on): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V	有库存	询价
PSMN130-200D	NXP	10+	N-channel TrenchMOS transistor(N沟道 TrenchMOS晶体管)	有库存	询价
PSMN1R7-30YL	NXP	10+	N-沟道场效应晶体管 N-channel Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 67 A; RDS(on): 8.2@10V13@4.5V mOhm; VDSmax: 3	有库存	询价
THS4271-EP	TI	10+	增强型产品、低噪声、高转换率、单位增益、稳定电压反馈放大器	有库存	询价
THS4271	TI	10+	超快超低失真高速放大器	有库存	询价
PH9930L	NXP	10+	N-沟道场效应晶体管 N-channel Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 67 A; RDS(on): 8.2@10V13@4.5V mOhm; VDSmax: 3	有库存	询价
THS4225	TI	10+	低失真高速轨至轨输出运算放大器	有库存	询价
THS4222	TI	10+	低失真高速轨至轨输出	有库存	询价
THS4221	TI	10+	低失真高速轨至轨输出运算放大器	有库存	询价
THS4215	TI	09+	具有关断状态的超快速、超低失真、高速运算放大器	有库存	询价
PH8230E	NXP	10+	N-沟道场效应晶体管 N-channel Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 67 A; RDS(on): 8.2@10V13@4.5V mOhm; VDSmax: 3	有库存	询价
PH7030L	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 80 A; Qgd (typ): 6 nC; RDS(on): 5.7@10V8.5@4.5V mOhm; V	有库存	询价
THS4211	TI	09+	具有关断状态的超快速、超低失真、高速运算放大器	有库存	询价
PSMN7R0-30YL	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 80 A; Qgd (typ): 6 nC; RDS(on): 5.7@10V8.5@4.5V mOhm; V	有库存	询价
PH6030L	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 80 A; Qgd (typ): 6 nC; RDS(on): 5.7@10V8.5@4.5V mOhm; V	有库存	询价
THS4082	TI	08+	双路 175MHz 低功耗电压反馈放大器	有库存	询价
PSMN6R0-30YL	NXP	10+	沟道场效应晶体管逻辑电平Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 80 A; Qgd (typ): 6 nC; RDS(on): 5.7@10V8.5@4.5V mOhm; V	有库存	询价
THS4081	TI		175 MHz 低功耗电压反馈放大器	有库存	询价
THS4062	TI	09+	双路 180MHz 高输出驱动电压反馈放大器	有库存	询价
THS4061M	TI	10+	180MHz 高速放大器	有库存	询价

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