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编号	制造商	批号	说明	库存	询价
IRF634SPBF	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634S	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634PBF	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634NSPBF	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634NS	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634NPBF	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634N	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF634	IR	10+	N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)	有库存	询价
IRF640PBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
UC2526A	TI	10+	稳压脉宽调制器	有库存	询价
IRF640LPBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640L	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640STRRPBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640STRR	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640STRLPBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
UC2526	TI	09+	稳压脉宽调制器	有库存	询价
IRF640STRL	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640SPBF	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价
IRF640S	IR	10+	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	有库存	询价

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