ISL72813SEH
Renesas Electronics Corporation
ISL72813SEH 由 Renesas Electronics Corporation 生产，采用 SMD 封装，批号 2018+，芯微百年深圳仓库现货 140 个。
现货
- 库存量
- 140个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 1 个
该型号暂未公开报价，请索取报价。
完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | ISL72813SEH |
| 厂商 | Renesas Electronics Corporation |
| 所属类别 | 驱动芯片 |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | SMD |
| 生产批号 | 2018+ |
| 库存量 | 140个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
概述
ISL72813SEH是一种抗辐射，高电压，高电流驱动电路，采用瑞萨专有的PR40绝缘体上硅工艺技术制造，可减轻单一事件的影响。该器件集成了32个驱动器电路，具有高压，共发射极和集电极开路输出，击穿电压为42V，额定峰值电流为600mA。
为了进一步减小解决方案尺寸并提高系统功率密度，ISL72813SEH集成了一个5位至32通道解码器（加上使能引脚）以及电平转换电路，以将解码器的输出引用至负电压。这方便地允许用户从32个可用的驱动器通道中选择1个。解码器的输入兼容TTL / CMOS，可轻松连接CPU，FPGA或μ处理器。
ISL72813SEH可在-55°C至+ 125°C的军用温度范围内工作，采用44 Ld密封陶瓷无铅芯片载体（CLCC）封装。
主要特点
电气屏蔽至SMD 5962-17208 验收测试到100krad（Si）（HDR）和50krad（Si）（LDR）晶圆片 集成的5位至32通道解码器 集成电平转换电路 高集电极电流输出 高压输出 接地金属盖 全军用温度范围操作T A = -55°C至+ 125°CT J = -55°C至+ 150°C辐射耐受性HDR（50rad（Si）/ s至300rad（Si）/ s）：100krad（Si）LDR（0.01rad（Si）/ s）：50krad（Si） 看到硬度没有SEB / SEL LET TH，V CE = 33V：86.4MeV•厘米2 /毫克
ISL72813SEH是一种抗辐射，高电压，高电流驱动电路，采用瑞萨专有的PR40绝缘体上硅工艺技术制造，可减轻单一事件的影响。该器件集成了32个驱动器电路，具有高压，共发射极和集电极开路输出，击穿电压为42V，额定峰值电流为600mA。
为了进一步减小解决方案尺寸并提高系统功率密度，ISL72813SEH集成了一个5位至32通道解码器（加上使能引脚）以及电平转换电路，以将解码器的输出引用至负电压。这方便地允许用户从32个可用的驱动器通道中选择1个。解码器的输入兼容TTL / CMOS，可轻松连接CPU，FPGA或μ处理器。
ISL72813SEH可在-55°C至+ 125°C的军用温度范围内工作，采用44 Ld密封陶瓷无铅芯片载体（CLCC）封装。
主要特点
电气屏蔽至SMD 5962-17208 验收测试到100krad（Si）（HDR）和50krad（Si）（LDR）晶圆片 集成的5位至32通道解码器 集成电平转换电路 高集电极电流输出 高压输出 接地金属盖 全军用温度范围操作T A = -55°C至+ 125°CT J = -55°C至+ 150°C辐射耐受性HDR（50rad（Si）/ s至300rad（Si）/ s）：100krad（Si）LDR（0.01rad（Si）/ s）：50krad（Si） 看到硬度没有SEB / SEL LET TH，V CE = 33V：86.4MeV•厘米2 /毫克