ISL73592SE
Renesas Electronics Corporation
ISL73592SE 由 Renesas Electronics Corporation 生产，采用 SMD 封装，批号 2018+，芯微百年深圳仓库现货 1,240 个。
现货
- 库存量
- 1,240个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 1 个
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完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | ISL73592SE |
| 厂商 | Renesas Electronics Corporation |
| 所属类别 | 集成电路(IC) |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | SMD |
| 生产批号 | 2018+ |
| 库存量 | 1,240个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
概述
ISL70591SEH，ISL73591SEH，ISL70592SEH和ISL73592SE是辐射硬化精密100μA和1mA电流源IC。这些器件在3V至40V的宽工作电压范围内以及-55°C至+ 125°C的温度范围内具有±1％的出色精度。该器件采用瑞萨专有的PR40绝缘体上硅（SOI）工艺制造，不受单一事件闩锁的影响。
器件的高输出阻抗使它们对长线上的电压降不敏感。它们可以承受40V的正向工作电压和-0.5V的反向电压。
ISL7x591SEH和ISL7x592SEH是两个端子浮动电流源，允许它们用于高侧，低侧和双侧负载应用，如传感器激励，偏置网络，低压基准，浮动电压基准和斜坡发生器。电流源主要用于热敏电阻和其他广泛用于航天工艺的传感器激励应用。
ISL7x591SEH和ISL7x592SEH采用4 Ld陶瓷扁平封装和裸片形式。温度范围为-55°C至+ 125°C。
主要特点
电筛选到DLA SMD 5962-18217宽工作电压范围：3V至40V初始精度高（+ 25°C时+ V = 20V）：
- ISL7x591SEH：±0.34％
- ISL7x592SEH：±0.30％高输出阻抗：
- ISL7x591SEH：189MΩ（典型值）
- ISL7x592SEH：14MΩ（典型值）完全浮动：无接地连接辐射验收测试 - ISL70591SEH和ISL70592SEH
- 高剂量率（50-300rad（Si）/ s）：100krad（Si）
- 低剂量率（0.01rad（Si）/ s）：75krad（Si）辐射验收测试 - ISL73591SEH和ISL73592SEH
- 低剂量率（0.01rad（Si）/ s）：75krad（Si）SEE硬度
- 无SEB / SEL LET TH，+ V = 35V：86MeV•cm 2 / mg
- SET持续时间（时间恢复）≤125μs
ISL70591SEH，ISL73591SEH，ISL70592SEH和ISL73592SE是辐射硬化精密100μA和1mA电流源IC。这些器件在3V至40V的宽工作电压范围内以及-55°C至+ 125°C的温度范围内具有±1％的出色精度。该器件采用瑞萨专有的PR40绝缘体上硅（SOI）工艺制造，不受单一事件闩锁的影响。
器件的高输出阻抗使它们对长线上的电压降不敏感。它们可以承受40V的正向工作电压和-0.5V的反向电压。
ISL7x591SEH和ISL7x592SEH是两个端子浮动电流源，允许它们用于高侧，低侧和双侧负载应用，如传感器激励，偏置网络，低压基准，浮动电压基准和斜坡发生器。电流源主要用于热敏电阻和其他广泛用于航天工艺的传感器激励应用。
ISL7x591SEH和ISL7x592SEH采用4 Ld陶瓷扁平封装和裸片形式。温度范围为-55°C至+ 125°C。
主要特点
电筛选到DLA SMD 5962-18217宽工作电压范围：3V至40V初始精度高（+ 25°C时+ V = 20V）：
- ISL7x591SEH：±0.34％
- ISL7x592SEH：±0.30％高输出阻抗：
- ISL7x591SEH：189MΩ（典型值）
- ISL7x592SEH：14MΩ（典型值）完全浮动：无接地连接辐射验收测试 - ISL70591SEH和ISL70592SEH
- 高剂量率（50-300rad（Si）/ s）：100krad（Si）
- 低剂量率（0.01rad（Si）/ s）：75krad（Si）辐射验收测试 - ISL73591SEH和ISL73592SEH
- 低剂量率（0.01rad（Si）/ s）：75krad（Si）SEE硬度
- 无SEB / SEL LET TH，+ V = 35V：86MeV•cm 2 / mg
- SET持续时间（时间恢复）≤125μs