ISL70001SEHFE/PROTO

• 产品介绍

概述
ISL70001ASEH是一款经过辐射硬化和SEE硬化的高效单片式同步降压稳压器，集成了MOSFET。该单芯片电源解决方案可在3V至5.5V的输入电压范围内工作，并提供严格调节的输出电压，可在外部调节输入电压的0.8V至85％。对于T J <+ 145°C，输出负载电流容量为6A 。

ISL70001ASEH利用峰值电流模式控制实现出色的输出负载瞬态响应，并具有集成补偿和开关，固定频率为1MHz，以减少元件尺寸和数量。在需要两个POL的应用中，两个ISL70001ASEH器件可以180°异相同步，以降低总输入RMS纹波电流。内部同步电源开关经过优化，具有高效率和良好的散热性能。

ISL70001ASEH集成了稳压器的故障保护功能。保护电路包括输入欠压，输出欠压和输出过流。

高集成度和领先的辐射耐受性使ISL70001ASEH成为当今许多小型应用的理想选择。两个器件可以同步，为大规模数字IC提供完整的电源解决方案，如现场可编程门阵列（FPGA），需要单独的内核和I / O电压。 
主要特点
线路，负载，温度和辐射的±1％参考电压 电流模式控制可实现出色的动态响应 全温度范围操作（T A = -55°C至+ 125°C）关断电源电流比ISL70001SEH低50％ 采用耐热增强型散热器封装 - R48.B 高效：峰值效率高达94％ 工作电压为3V至5.5V 可调输出电压两个外部电阻将V OUT设置为V IN的 0.8V至~85％双向SYNC引脚允许两个器件以180°异相同步 电源良好的输出电压监视器 可调模拟软启动 输入欠压，输出欠压和输出过流保护 电屏蔽到DLA SMD 5962-09225 QML符合MIL-PRF-38535要求 辐射硬度总剂量[50-300rad（Si）/ s]：100krad（Si）总剂量[<10mrad（Si）/ s]：100krad（Si）* *通过初始表征确定的产物能力。EH版本在逐个晶圆的基础上以低剂量率对50krad（Si）进行验收测试。看到硬度SEL和SEB LET eff：86.4MeV / mg / cm 2分钟SEFI X形截面（LET eff = 86.4MeV / mg / cm 2）最大1.4×10 -6 cm 2SET LET eff（<1脉冲扰动）86.4MeV / mg / cm 2 min