GTL2010PW
NXP
GTL2010PW 由 NXP 生产,采用 TSSOP 封装,批号 13+,芯微百年深圳仓库现货 2,500 个。
现货
- 库存量
- 2,500个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 1 个
该型号暂未公开报价,请索取报价。
完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | GTL2010PW |
| 厂商 | NXP |
| 所属类别 | 驱动芯片 |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | TSSOP |
| 生产批号 | 13+ |
| 库存量 | 2,500个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
射型收发器逻辑 - 收发器电压钳位(GTL-TVC)提供低通态电阻和最小传输延迟的高速电压变换。GTL2010提供10个带有共栅(GREF)的NMOS传输晶体管(Sn和Dn)和一个参考晶体管(SREF和DREF)。该器件允许1.0 V和5.0 V之间的双向电压变换而无需使用方向引脚。
当Sn或Dn端口为低电平时,钳位处于通态且Sn和Dn端口之间存在低电阻连接。假设Dn端口上有更高的电压,当Dn端口为高电平时,Sn端口上的电压限制为参考晶体管(SREF)设置的电压。当Sn端口为高电平时,上拉电阻会将Dn端口上拉至VCC。此功能允许在用户选择的更高和更低电压之间进行无缝变换,而无需方向控制。
所有晶体管具有相同的电特性,输出间的电压或传输延迟具有最小的偏差。由于晶体管是对称制造的,所以这有利于分离式晶体管电压变换解决方案。因为器件中的所有晶体管完全相同,所以可在任何其他十个匹配Sn/Dn晶体管上寻找SREF和DREF,允许更方便的电路板布局。变换器的晶体管为低电压器件提供极佳的ESD保护并同时保护低ESD抗性器件。
特性
- 10位双向低电压变换器
- 允许1.0 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和5 V总线(允许直接连接GTL、GTL+、LVTTL/TTL和5 V CMOS电平)之间的电压电平变换
- 提供双向电压变换,无方向引脚
- 输入和输出引脚(Sn/Dn)之间有低6.5 Ω导通状态阻抗(Ron)
- 支持热插入
- 无需电源:不会闭锁
- 5 V耐受输入
- 低待机电流
- 直通引出线便于印刷电路板走线排布
- ESD保护:按JESD22-A114超过2000 V HBM,按JESD22-A115超过200 V MM,按JESD22-C101超过1000 V CDM
- 提供封装:TSSOP24、HVQFN24
Target Applications
- 需要双向或单向电压电平转换(从1.0 V至5.0 V的任意电压到1.0 V至5.0 V之间的任意电压)的任何应用
- 无方向针脚的开漏结构非常适合双向低电压(例如,1.0 V、1.2 V、1.5 V或1.8 V)处理器I²C总线端口变换至普通3.3 V和/或5.0 V I²C总线信号电平或GTL/GTL+变换至LVTTL/TTL信号电平。