S-8261ACJMD-G4JT2G

SII/SEIKO

S-8261ACJMD-G4JT2G 由 SII/SEIKO 生产,采用 SOT-23-6 封装,批号 15+,芯微百年深圳仓库现货 20,000 个。

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完整规格

S-8261ACJMD-G4JT2G 规格参数
参数 值
型号S-8261ACJMD-G4JT2G
厂商SII/SEIKO
所属类别电源管理芯片
库存状态现货
封装SOT-23-6
生产批号15+
库存量 20,000个
最低订购量1 个
交期待确认

产品详情

S-8261系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的锂离子/锂聚合物可充电池的保护IC,适合于1节锂离子/锂聚合物可充电池组的过充电、过放电和过电流的保护。

特点:

(1) 内置高精度电压检测电路

• 过充电检测电压 3.9 V ~ 4.4 V(对应5 mV级进)  精度±25 mV(25°C)、±30 mV(-5°C ~ +55°C)

• 过充电滞后电压 0.0 V ~ 0.4 V 精度±25 mV

• 过放电检测电压 2.0 V ~ 3.0 V 精度±50 mV

• 过放电滞后电压 0.0 V ~ 0.7 V 精度±50 mV

• 过电流1检测电压 0.05 V ~ 0.3 V 精度±15 mV

• 过电流2检测电压 0.5 V(固定) 精度±100 mV

(2) 连接充电器的端子采用高耐压器件 (VM端子、CO端子:绝对最大额定值=28 V)

(3) 各种延迟时间只需由内置电路来实现

(4) 内置三段过电流检测电路(过电流1、过电流2、负载短路)

(5) 可以选择向0 V电池充电功能的<可能>/<禁止>

(6) 充电器检测功能、异常充电电流检测功能

(7) 低消耗电流

• 工作状态时 典型值3.5 μA 最大值7.0 μA

• 休眠状态时 最大值0.1 μA

(8) 宽工作温度范围-40°C ~ +85°C

(9) 小型封装 SOT-23-6

(10)  无铅,Sn100%,无卤素

 

规格型号:

S-8261AAGMD-G2GT2G

S-8261AAHMD-G2HT2G

S-8261AAJMD-G2JT2G

S-8261AALMD-G2LT2G

S-8261AAMMD-G2MT2G

S-8261AANMD-G2NT2G

S-8261AAOMD-G2OT2G

S-8261AAPMD-G2PT2G

S-8261AARMD-G2RT2G

S-8261AASMD-G2ST2G

S-8261AATMD-G2TT2G

S-8261AAUMD-G2UT2G

S-8261AAXMD-G2XT2G

S-8261AAZMD-G2ZT2G

S-8261ABAMD-G3AT2G

S-8261ABBMD-G3BT2G

S-8261ABCMD-G3CT2G

S-8261ABIMD-G3IT2G

S-8261ABJMD-G3JT2G

S-8261ABKMD-G3KT2G

S-8261ABLMD-G3LT2G

S-8261ABMMD-G3MT2G

S-8261ABNMD-G3NT2G

S-8261ABPMD-G3PT2G

S-8261ABRMD-G3RT2G

S-8261ABSMD-G3ST2G

S-8261ABTMD-G3TT2G

S-8261ABYMD-G3YT2G

S-8261ABZMD-G3ZT2G

S-8261ACAMD-G4AT2G

S-8261ACBMD-G4BT2G

S-8261ACDMD-G4DT2G

S-8261ACEMD-G4ET2G

S-8261ACFMD-G4FT2G

S-8261ACHMD-G4HT2G

S-8261ACIMD-G4IT2G

S-8261ACJMD-G4JT2G

S-8261ACKMD-G4KT2G

S-8261ACMMD-G4MT2G

S-8261ACNMD-G4NT2G

产品末位为G的是无铅制品

产品末位为S的是无铅无卤素制品

产品末位为U的是无铅(Sn100%)无卤素制品