A1229LLTTK-T

这些霍尔效应锁存是在各种温度下都极其稳定和具备抗压特性的传感器 IC，尤其适用于温度最高达 150°C 的作业。全新的施密特触发器电路通过补偿霍尔效应中的温度变化，保持操作点和释放点对称,从而实现高温下的良好性能。而且，内部补偿提供的磁开关点对温度更加灵敏，可抵消因温度造成的磁场劣化。对称功能使器件更适合脉冲计数应用，因为在这些应用中工作周期是非常重要的参数。三款基础器件（A1225、 A1227 和 A1229）除磁开关点外，其它基本相同。

每个器件都在单硅片上装有以下元件：稳压器、霍尔发电机、温度补偿电路、信号放大器、施密特触发器和最大可汲入 25 mA 电流的缓冲开路漏极输出。板载稳压器允许使用 3.8 到 24 V 的电源电压进行操作。

型号后缀的首个字符规定了器件的工作温度范围。后缀 L 是指 –40°C 至 150°C。两种封装都可以为大部分应用提供磁性优化封装。后缀 LT 是指用于表面安装应用的微型 SOT89/ TO-243AA 晶体管封装，后缀 UA 是三引脚超小型 SIP。两种封装均为无铅封装，采用 100% 雾锡电镀引脚框。

• 对称开关点
• 超卓的温度稳定性
• 可使用非稳压电源运行
• 开路集电极 25 mA 输出
• 电池反接保护
• 激活市面上可供应的小型永久磁铁
• 高可靠性
• 小尺寸
• 抗物理应力
• 改进的 ESD 结构可实现 8 kV HBM ESD 性能，而无需外置保护元件
• 内部保护电路可承受 40 V 负载突降，无需外置保护元件

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