NSS12200LT1G
ON
NSS12200LT1G 由 ON 生产，采用 SOT23 封装，批号 14+，芯微百年深圳仓库现货 32,330 个。
现货
- 库存量
- 32,330个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 1 个
该型号暂未公开报价，请索取报价。
完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | NSS12200LT1G |
| 厂商 | ON |
| 所属类别 | 晶体管transistor |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | SOT23 |
| 生产批号 | 14+ |
| 库存量 | 32,330个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
NSS12200L：低VCE（sat）的晶体管，PNP，12 V，4.0
印刷版
概观
技术指标
包
数据表：低VCE（sat）的晶体管，PNP，12 V，4.0 A，SOT-23封装
第3版（126.0kB）
»查看材料成分
»产品更改通知
产品概述
产品说明
低VCE（sat）的双极晶体管的微型表面贴装器件具有超低饱和电压VCE（SAT）和高电流增益能力。这是专为低电压，高速开关应用中经济实惠的高效节能控制是重要的用途。
特性优势
大电流，低VCEsat晶体管，ESD坚固，高电流增益，高截止频率，薄型封装，线性增益（测试版）
提高电路效率，减少电池充电时间，减少元件数量，高频开关，较小的便携式产品，无失真
应用终端产品
负载开关，电池充电，外部传输晶体管，DC/ DC转换器，免费驱动程序，当前扩工程和低压差调节，阴极荧光灯驱动器，外设驱动器 - 发光二极管，电机，继电器
印刷版
概观
技术指标
包
数据表：低VCE（sat）的晶体管，PNP，12 V，4.0 A，SOT-23封装
第3版（126.0kB）
»查看材料成分
»产品更改通知
产品概述
产品说明
低VCE（sat）的双极晶体管的微型表面贴装器件具有超低饱和电压VCE（SAT）和高电流增益能力。这是专为低电压，高速开关应用中经济实惠的高效节能控制是重要的用途。
特性优势
大电流，低VCEsat晶体管，ESD坚固，高电流增益，高截止频率，薄型封装，线性增益（测试版）
提高电路效率，减少电池充电时间，减少元件数量，高频开关，较小的便携式产品，无失真
应用终端产品
负载开关，电池充电，外部传输晶体管，DC/ DC转换器，免费驱动程序，当前扩工程和低压差调节，阴极荧光灯驱动器，外设驱动器 - 发光二极管，电机，继电器
终端产品
汽车
相关推荐 NSS12100UW3TCG