SI2323DS-T1-E3

SIX

SI2323DS-T1-E3 由 SIX 生产,采用 SOT-23 封装,批号 10+,芯微百年深圳仓库现货 58,500 个。

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58,500个
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完整规格

SI2323DS-T1-E3 规格参数
参数 值
型号SI2323DS-T1-E3
厂商SIX
所属类别MOS管
库存状态现货
封装SOT-23
生产批号10+
库存量 58,500个
最低订购量1 个
交期待确认

产品详情

 

技术/目录信息 SI2323DS-T1-E3
销售商 Vishay/Siliconix (VA)
分类 分离式半导体产品
安装类型 表面贴装
FET 型 P 沟道
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 在 4.7A、4.5V 时为 39 毫欧
输入电容(Ciss) @ Vds 1020pF @ 10V
功率 - 最大 750mW
包装 Digi-Reel®
闸电荷(Qg) @ Vgs 19nC @ 4.5V
封装/外壳 SOT-23
无铅状态 Lead Free
ROHS状态 RoHS Compliant
其它名称 SI2323DS T1 E3
SI2323DST1E3
SI2323DS T1 E3DKR ND
SI2323DST1E3DKRND
SI2323DS-T1-E3DKR