SI3585DV-T1-E3
VISHAY
SI3585DV-T1-E3 由 VISHAY 生产，采用 TSOP-6 封装，批号 10+，芯微百年深圳仓库现货 120,000 个。
现货
- 库存量
- 120,000个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 1 个
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完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | SI3585DV-T1-E3 |
| 厂商 | VISHAY |
| 所属类别 | 分立元件discrete component |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | TSOP-6 |
| 生产批号 | 10+ |
| 库存量 | 120,000个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
| SI3585DV-T1-E3 |
MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:19A; On-Resistance, Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:6-TSOP; Drain-Source Breakdown Voltage:20V