LM5105SD

• 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
• 1.8A峰值栅极驱动电流
• 自举电源电压范围可达118V直流
• 集成自举二极管
• 单一的TTL兼容的输入
• 可编程开启延迟（死区时间）
• 使能输入引脚
• 快速关闭传播延迟（26ns的典型）
• 驱动器具有15ns的上升和下降时间为1000pF
• 供应铁路欠压锁定
• 低功耗

说明

LM5105是一个高压栅极驱动器，设计用于驱动偏高和偏低的N沟道MOSFET同步降压或半桥配置。 浮动的高边驱动器是能够与铁路电压高达100V。 单一的控制输入与TTL信号的水平和一个外部电阻方案死区时间的开关过渡兼容，通过紧密匹配的导通延迟电路。 高压二极管提供高侧栅极驱动器自举电容充电。 强大的电平移位技术工作的同时，耗电低功耗和高速提供干净的输出转换。 偏低或自举高侧电源电压低于操作阈值，欠压闭锁禁用栅极驱动器。 LM5105是提供热增强型10引脚的LLP塑料封装。