LM5110-1M

• 独立驱动两个N沟道MOSFET
• 复方CMOS和双极输出，降低输出电流的变化
• 5A sink/3A源电流能力
• 两个通道可并行连接的双驱动电流
• 独立输入（TTL兼容）
• 快速传播的时间（25 ns典型）
• 快速的上升和下降时间（14 ns/12 ns上升/下降2 nF的负载）
• 分离电源或单电源操作的专用输入接地引脚（IN_REF）
• 输出摆幅从V _CC至V _EE可负相输入地
• 提供两个非反相，双反相和组合配置
• 关断输入，提供低功耗模式
• 欠压锁定保护下的电源轨
• 管脚相互兼容行业标准的栅极驱动器

说明

LM5110双门驱动器取代了行业标准的栅极驱动器改进的峰值输出电流和效率。 每个“复合型”输出驱动阶段包括MOS和双极型晶体管并联运行，一起下沉超过5A容性负载峰。 MOS和双极型器件相结合的独特特征，降低驱动电压和温度的电流变化。 单独的输入和输出的接地引脚提供负的驱动能力，允许用户与正面和负面的VGS电压驱动MOSFET栅极。 栅极驱动器控制输入被引用到一个专门的输入地（IN_REF）。 栅极驱动器输出摆幅从V _CC输出地V _EE可到IN_REF负。 能够容纳负的VGS电压MOSFET栅极驾驶门槛低电压MOSFET常常用来作为同步整流器时，减少损失。 与传统的正向栅极电压行驶时，IN_REF和V _EE引脚连接在一起，并引用一个共同点。 还提供了欠压闭锁保护和关断输入引脚。 司机可以在输入和输出连接到双驱动电流能力的同时操作。 这器件采用SOIC - 8及热增强LLP - 10封装。

应用

• 同步整流栅极驱动器
• 开关模式电源门极驱动器
• 电磁阀和电机驱动器
• 电源电平转换器