特点
总电离剂量
50 krad（四）
ELDRS免费
TCV IO温度灵敏度（典型）
0.015μV/ ° C
（对于V S = 5V，典型除非另有说明）
低保证V IO温度
60μV
低噪音，无1 / F
35nV /
高CMRR
90分贝
高PSRR
高甲VOL
85分贝
宽增益带宽积
3MHz的
高转换率
4V/μs
轨到轨输出
为30mV
无需外部电容需要
说明
而LMP2012提供前所未有的精度和稳定性。 该设备采用专利技术测量及不断校正输入偏移错误电压。 其结果是一个放大器，随着时间的推移和温度超稳定。 它具有优良的CMRR和PSRR评级，并不会出现熟悉的1 / F电压和电流噪声增加困扰传统的放大器。 LMP2012的特点相结合，使之成为传感器放大器，高增益配置，ADC缓冲放大器，DAC IV转换，以及任何其他2.7V - 5V申请，要求的精度和长期稳定性不错的选择。
LMP2012其他有用的好处是轨轨输出，低电源电流为930μA，宽增益带宽3 MHz的产品。 这些极其丰富的LMP2012发现功能提供高性能和易用性。
该版本的LMP2012 QMLV先后被评为容忍的测试方法的MIL - STD - 883 1019年的50krad /（Si）的总辐射剂量水平。
应用