LM5111-1MY

• 独立驱动两个N沟道MOSFET
• 复合CMOS和双极输出降低输出电流变化
• 5A sink/3A源电流能力
• 两个通道可并行连接的驱动电流提高一倍
• （TTL兼容）独立的输入
• 快速传播时间（25纳秒典型）
• 快速上升和下降时间（14 ns/12 ns上升/ 2 nF的负载下降）
• 可用双非反相，反相和双组合配置
• 供应铁路欠压锁定保护（UVLO）
• LM5111 - 4 UVLO配置为驱动，通过OUT_A通过OUT_B PFET和NFET
• 引脚与工业标准的栅极驱动器兼容

说明

该LM5111双门驱动器替换提高峰值输出电流和效率的行业标准栅极驱动器。 每一个“复合型”输出驱动阶段包括MOS和双极型晶体管并联运行，连同沉从电容负载超过5A的峰值多。 结合了MOS和双极型器件的独特性降低驱动电流，电压和温度变化。 欠压锁定保护也提供。 司机可以操作与输入，并连接到双驱动电流能力输出并行。 这个装置是采用SOIC - 8封装或耐热增强MSOP8 - EP封装。