特点
说明
该LM5110双门驱动器替换提高峰值输出电流和效率的行业标准栅极驱动器。 每一个“复合型”输出驱动阶段包括MOS和双极型晶体管并联运行,连同沉从电容负载超过5A的峰值多。 结合了MOS和双极型器件的独特性降低驱动电流,电压和温度变化。 独立的输入和输出地引脚提供负驱动能力允许用户驱动正面和负面的VGS电压MOSFET栅极。 栅极驱动器控制输入引用到专用输入地(IN_REF)。 栅极驱动器输出摆幅从V CC至V EE的输出地,可与有关IN_REF负。 能够同负电压VGS MOSFET闸关闭减少损失行驶时的低阈值电压的MOSFET同步整流器经常被使用。 与传统的正面只有当栅极电压驱动,在IN_REF和V EE引脚连接在一起,并引用到一个共同点。 欠压锁定保护和关断输入引脚还提供。 司机可以操作与输入,并连接到双驱动电流能力输出并行。 该装置可在SOIC - 8和热增强型LLP - 10封装。
应用