LM5106MMX

• 同时驱动高边和低边N沟道MOSFET
• 1.8A峰值输出灌电流
• 1.2A峰值输出电流源
• 自举电源电压范围可达118V DC
• 单TTL兼容输入
• 可编程的导通延迟（死区时间）
• 使能输入引脚
• 快速关闭传播延迟（32ns典型值）
• 驱动器具有15ns的上升和下降时间为10ns为1000pF
• 供应铁路欠压锁定
• 低功耗

说明

该LM5106是一种高电压栅极驱动器设计用于驱动两个高边和低边N沟道MOSFET的同步降压或半桥配置。 浮动高边驱动器是与铁路工作电压高达100V的能力。 单控制输入信号电平与TTL和一个外部电阻器方案的切换过渡死区时间通过紧密兼容匹配接通延时电路。 强劲的电平转换技术工作的同时，耗电低功耗，并提供干净的输出转换高速。 欠压锁定禁用栅极驱动器时，无论是偏低或偏高的自举电源电压低于操作门槛。 该LM5106是在提供MSOP - 10或耐热增强型10引脚LLP塑料封装。