TPS1101
TI
TPS1101 由 TI 生产，采用 16TSSOP, 8SOIC 封装，批号 10+，芯微百年深圳仓库现货 60,000 个。
现货
- 库存量
- 60,000个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 1 个
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完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | TPS1101 |
| 厂商 | TI |
| 所属类别 | ACDC-和-DCDC-电源 |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | 16TSSOP, 8SOIC |
| 生产批号 | 10+ |
| 库存量 | 60,000个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
TPS1101是一个单一的，低的RDS（on），P沟道，增强型MOSFET。 该器件经过优化，3 V或5 V的电池供电系统配电由德州仪器LinBiCMOSTM手段
过程。 而最大的VGS（次）-1.5 V和仅为0.5微安的智能决策支持系统，是理想的TPS1101高侧低电压，便携式电池管理系统在开关延长电池寿命是一个主要问题。 低的RDS（ON）和出色的交流特性（5.5纳秒的上升时间典型值）的TPS1101，使其成为低电压开关，如脉冲宽度调制（PWM）控制器或电机/桥式驱动器的电源开关应用的必然选择。
超薄超薄紧缩小外形封装或TSSOP（PW）的版本在高度限制的地方适合在其他地区的P沟道MOSFET不能。
TPS1101特性
- 低RDS（ON）。 。 。 0.09Ω典型值在VGS =为-10 V
- 3 V兼容
- 无需外部VCC
- TTL和CMOS兼容输入
- 的VGS（次）= -1.5 V最大
- 可用于超薄TSSOP封装（星期三）
- ESD保护高达2根据MIL - STD - 883C，方法3015千伏