TLC372-EP

此设备是制作中，采用LinCMOS™技术和两个独立的电压比较器，设计工作于单电源每个组成。 从双电源操作也是可能的，如果两者比较，差异用品为4 V至18五，每个器件具有极高的输入阻抗（通常大于10 ¹² ），让高阻抗源的直接连接。 输出是N沟道开漏配置，可连接实现正逻辑有线和关系。

该TLC372具有内部静电放电（ESD）保护电路，并一直与一个2000 - V的静电放电使用人类体模型（HBM）测试的等级划分。 但是，我们应该特别小心处理的接触静电放电可能会导致设备的性能参数退化此设备。

该TLC372的特点是工作在-55 ° C至125 ° C的

特性

• 控制基准
  • 一个封装/测试网站上，一个制作网站
• 扩展的-55 ° C温度至125 ° C的性能
• 增强递减制造源（DMS）的支持
• 增强型产品更改通知
• 资格谱系^（1）
• 静电保护超过2000伏根据MIL - STD - 883，方法3015;超过100 v使用机器模型（丙= 200 pF的，R = 0时）
• 单或双电源供电
• 宽电源电压范围。 。 0.4 V至18 V
• 极低的电源电流消耗。 。 0.150μA典型值在5 V
• 快速响应时间。 。 。 200纳秒典型的TTL电平输入步骤
• 内置ESD保护
• 高输入阻抗。 。 。 10 ¹² 典型
• 极低的输入偏置电流。 。 0.5 pA的典型
• 超稳定的低输入失调电压
• 输入失调在最坏情况下的输入电压变化的条件通常为0.23μV的/月，包括第一个30天
• 共模输入电压范围包括地
• 输出与TTL，MOS管兼容，和CMOS
• 引脚兼容，LM393

参数