TPS59116

TI

TPS59116 由 TI 生产,采用 24VQFN 封装,批号 10+,芯微百年深圳仓库现货 9,000 个。

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器 产品图
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9,000个
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完整规格

TPS59116 规格参数
参数 值
型号TPS59116
厂商TI
所属类别DC-DC-控制器
库存状态现货
封装24VQFN
生产批号10+
库存量 9,000个
最低订购量1 个
交期待确认

产品详情

TPS59116 

全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

说明

 

该TPS59116提供了一个DDR/SSTL-2,DDR2/SSTL-18完整的电源和DDR3内存系统。 它集成了一个三号甲片同步降压控制器/源追踪线性稳压器和缓冲的低噪声基准。 该TPS59116提供整体解决方案的系统成本最低的地方空间非常珍贵。 该TPS59116同步控制器运行一个自适应固定开启时间控制,可配置为易用性和速度最快的瞬态响应或电流模式在D -第™模式,以支持陶瓷输出电容器400千赫伪固定频率的PWM。 3,接收器/源保持了快速瞬态响应LDO的只需要20μF的(2 × 10μF的)的陶瓷输出电容。

 

特性

 

  • 同步降压控制器(提供VDDQ)
    • 宽输入电压范围:3.0 V至28 - V的
    • ð -第100™模式- ns的负载阶跃响应
    • 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
    • 支持软关断的S4/S5国
    • 从电流检测的 R DS(on)或电阻
    • 2.5 - V的(复员),1.8 - V的(DDR2内存),可调至1.5 - V的(DDR3内存)或
      输出范围0.75 - V至3.0 - V的
    • 配备电源良好,过电压保护和
      欠压保护
  • 的3 - A的LDO(VTT)的,缓冲基准电压(VREF)
    • 有能力接收器和一个资料三
    • LDO的输入可优化功率损耗
    • 需要小型20μF的陶瓷输出电容器
    • 缓冲的低噪声10毫安VREF输出
    • 精度为± 20毫伏的VREF和VTT
    • 支援高Z的S3和软关断的S4/S5
    • 热关断
  • 应用
    • DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3存储器电源
      在嵌入式计算系统供应
    • 萨里卫星技术有限公司- 2萨里卫星技术有限公司- 18和HSTL终止