TPS51216

说明

该TPS51216提供了对DDR2，DDR3和DDR3L内存系统在最低的总成本和最小的空间完整的电力供应。 它集成了一个2接收器/跟踪的LDO（VTT）的源和缓冲的低噪声基准（VTTREF）同步降压稳压器控制器（VDDQ的）。 该TPS51216采用的D -第300 kHz/400™模式千赫频率耦合易于使用和快速瞬态响应。 在优秀的VTTREF曲目0.8％的精度为VDDQ / 2。 的VTT，提供2接收器/源峰值电流能力，只需要10μF的陶瓷电容。 此外，LDO的电源输入一个专用的可用。

TPS51216提供了丰富的实用功能以及出色的电源性能。 它支持灵活的电源状态控制，放置在S3在高Z VTT和VDDQ的排放在S4/S5状态，VTT和VTTREF（软关闭）。

特性

• 同步降压控制器（提供VDDQ）
  • 转换的电压范围：3 V至28 V
  • 输出电压范围：0.7 V至1.8 V的
  • _V REF的精度为0.8％
  • ð -快速瞬态响应第™模式
  • 可选的300 kHz的开关频率kHz/400
  • 在优化效率与轻载和重载自动跳过功能
  • 支持软关断的S4/S5国
  • 八达通卡公司/过压保护/的UVP /欠压锁定保护功能
  • 电源良好输出
• 2甲的LDO（VTT）的，缓冲参考（VTTREF）
  • 2个A型（峰值）电流源库
  • 仅需10μF的陶瓷输出电容
  • 缓冲，低噪声，10毫安输出VTTREF
  • VTTREF 0.8％，20毫伏的VTT精度
  • 支持高在S3 Z和软关断的S4/S5
• 热关断
• 20引脚3毫米× 3毫米QFN封装
• 应用
  • DDR2/DDR3/DDR3L存储器电源