TLE2027-EP
TI
TLE2027-EP 由 TI 生产，采用 8SOIC 封装，批号 10+，芯微百年深圳仓库现货 5,000 个。
现货
- 库存量
- 5,000个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 1 个
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完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | TLE2027-EP |
| 厂商 | TI |
| 所属类别 | 低偏移电压 |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | 8SOIC |
| 生产批号 | 10+ |
| 库存量 | 5,000个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
创新的TLE2027电路设计专业知识和包含高质量的过程控制技术,产生一种水平的交流性能和直流精度以前无法在单一的运算放大器。使用钛的最先进的制造过程中,这些设备可以让拼合升级系统,该系统使用lower-precision装置。
在该地区的直流精度,提供了最大的TLE2027偏置电压的µV,共模抑制比100分贝(打字的131),电源电压抑制比的144分贝(流),和直流增益的45 V /µV(流)。
管委会性能的重要TLE2027一个典型的单位增益带宽的规格的55°15兆赫,相位裕度,和噪声电压规格3种。
特性
- 控制基线
- 一个网站,一个装配/测试制作的网站
- -55温度性能的扩展到125°C°C
- 增强递减制造来源(DMS)的支持
- 增强Product-Change通知
- 资格血统(1)
- 结合直流精度和杰出的表现:交流(AC)
- 单位增益带宽。。。13兆赫打字
- 越南。3.3维迪奇/赫兹在f = 1千赫打字
- VIO 100µV。马克斯
- AVD。45 V /µV打字和RL = 2 k
,
19 V /µV和RL = 600
- 可在Standard-Pinout Small-Outline包裹
- 恢复饱和特性输出电路