TLE2161BM
深圳芯微百年电子有限公司
TLE2161BM 由 深圳芯微百年电子有限公司 生产，采用 20LCCC, 8CDIP 封装，芯微百年深圳仓库现货。
现货
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完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | TLE2161BM |
| 厂商 | 深圳芯微百年电子有限公司 |
| 所属类别 | 宽带 |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | 20LCCC, 8CDIP |
| 库存量 | 0个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
TLE2161,TLE2161A的,TLE2161B、功耗低、精度是JFET-input运算放大器使用德州仪器制造为埃克斯卡利伯剑的过程。失代偿性,为稳定闭环增益与最少5,这些装置驱动能力,结合优秀的输出动力消耗低、精度高,极好的直流增益积。
除保持优势的传统JFET快速杀了利率和低的输入偏置和偏置电流,但是石中剑大饭店的过程将会有杰出的参数随时间和温度稳定性。这一结果在一种装置,它仍然是精确甚至与温度的变化,根据多年的使用。
特性
- 优秀的输出驱动能力
VO =RL±2.5 V = 100分钟
,
VCC±5 =±V
VO =±12.5 V分钟RL = 600 ,
VCC±15 V =± - 供应电流低流…280特赦
- 对于转换率和失代偿
增益积
AVD = 0.5分钟
转换率= 10 V /我们打字
增益积= 6.5兆赫打字 - 操作电源电压范围宽
VCC±3.5 V =±18到±V - 高的开环增益…280 V / mV打字
- 低的偏移电压500 uV马克斯。
- 低的偏移电压漂移的时间
打字0.04紫外/月 - 低的输入偏置电流…5 pA打字