TLE2161
TI
TLE2161 由 TI 生产，采用 8SOIC 封装，批号 08+，芯微百年深圳仓库现货 5,000 个。
现货
- 库存量
- 5,000个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 1 个
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完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | TLE2161 |
| 厂商 | TI |
| 所属类别 | 宽带 |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | 8SOIC |
| 生产批号 | 08+ |
| 库存量 | 5,000个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
TLE2161,TLE2161A的,TLE2161B、功耗低、精度是JFET-input运算放大器使用德州仪器制造为埃克斯卡利伯剑的过程。失代偿性,为稳定闭环增益与最少5,这些装置驱动能力,结合优秀的输出动力消耗低、精度高,极好的直流增益积。
除保持优势的传统JFET快速杀了利率和低的输入偏置和偏置电流,但是石中剑大饭店的过程将会有杰出的参数随时间和温度稳定性。这一结果在一种装置,它仍然是精确甚至与温度的变化,根据多年的使用。
特性
- 优秀的输出驱动能力
VO =RL±2.5 V = 100分钟
,
VCC±5 =±V
VO =±12.5 V分钟RL = 600 ,
VCC±15 V =± - 供应电流低流…280特赦
- 对于高杀率和失代偿
增益积
AVD = 0.5分钟
杀了率= 10 V /我们打字
增益积= 6.5兆赫打字 - 操作电源电压范围宽
VCC±3.5 V =±18到±V - 高的开环增益…280 V / mV打字
- 低的偏移电压500 uV马克斯。
- 低的偏移电压漂移的时间
打字0.04紫外/月 - 低的输入偏置电流…5 pA打字