TLE2141-EP
TI
TLE2141-EP 由 TI 生产，采用 8SOIC 封装，批号 10+，芯微百年深圳仓库现货 5,000 个。
现货
- 库存量
- 5,000个
- 交期
- 待确认
- 最低订购量
- 1 个
该型号暂未公开报价，请索取报价。
完整规格
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 型号 | TLE2141-EP |
| 厂商 | TI |
| 所属类别 | 宽带 |
| 库存状态 | 现货 |
| 封装 | 8SOIC |
| 生产批号 | 10+ |
| 库存量 | 5,000个 |
| 最低订购量 | 1 个 |
| 交期 | 待确认 |
产品详情
TLE214x设备的高性能、内部补偿运算放大器建造使用德州仪器Excalibur.互补双相性精神障碍的过程。他们是pin-compatible升级为工业标准的产品。
设计了一个输入阶段,同时达到低噪声audio-band 1050维迪奇/
在100-pF负荷是有用/致动器/定位快速的司机。类似的试验条件下,安定时间0.01%是400 ns”。
该装置具备稳定且容性负载多达10个,虽然6-MHz nF的带宽减少到180兆赫在这个高负荷水平。同样地,TLE214x sample-and-holds是有用的low-droop和直接的缓冲,长电缆,包括4-mA 20-mA电流圈。
特性
- 控制基线
- 一个装配现场
- 一个测试站点
- 一个制作网站
- -55温度性能的扩展到125°C��C
- 增强递减制造来源(DMS)的支持
- 增强Product-Change通知
- 资格血统(1)
- 低噪声
- 10赫兹15维迪奇/…
赫兹 - 10.5维迪奇/ 1,000…赫兹
- 10赫兹15维迪奇/…
- 10 000-pF负载能力
- 20-mA(Min)短路电流输出
- 27-V /µs杀率(Min)
- 高5.9兆赫增益积…
- 低VIO 900µV……(最高)在25°C
- 单或分裂的供应…4 V到44 V
- 快速沉降时间
- 340 ns降到0.1%
- 对400 ns 0.01%